Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
VNS1NV04DTR-E STMicroelectronics
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: VNS1NV04DTR-E
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
VNS1NV04DTR-E — сдвоенный защищённый MOSFET серии OMNIFET II от STMicroelectronics: в корпусе SOIC-8 два кристалла, изготовленных по технологии VIPower M0-3. Максимальное сопротивление открытого канала каждого — 250 мОм, типовое ограничение тока — 1,7 А, напряжение ограничения сток-исток — 40 В.
Каждый канал имеет линейное ограничение тока, тепловое отключение, защиту от короткого замыкания и встроенный ограничитель перенапряжения. О сбое сообщает напряжение на входном выводе, непосредственный доступ к затвору силового транзистора сохранён. Входной ток мал, защита от электростатических разрядов встроена. Допустимая температура от −40 до +150 °C.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | SOIC-8 |
| Бренд | STMicroelectronics |