Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
STGW60H65DRF STMicroelectronics
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: STGW60H65DRF
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
STGW60H65DRF — IGBT-транзистор STMicroelectronics серии HB2 на 650 В и 60 А с собственной структурой trench gate field-stop, в корпусе TO-247. Рассчитан на высокую частоту переключения: очень быстрое переключение, малое тепловое сопротивление, малый разброс параметров.
- Время выдерживания короткого замыкания 6 мкс
- Антипараллельный диод с ультрабыстрым мягким восстановлением
- Максимальный ток коллектора 120 А, рассеиваемая мощность 420 Вт
- Слегка положительный температурный коэффициент Vce(sat) облегчает параллельное включение
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-247 |
| Бренд | STMicroelectronics |