
Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
SQM10250E_GE3 Vishay
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: SQM10250E_GE3
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
SQM10250E_GE3 — N-канальный MOSFET Vishay Siliconix на 250 В в корпусе TO-263 (D2PAK), квалификация AEC-Q101, технология TrenchFET, 100 % контроль Rg и UIS.
- Сопротивление канала 0,030 Ом при 10 В и 0,032 Ом при 7,5 В
- Ток стока 65 А при 25 °C и 37 А при 125 °C; импульсный 180 А
- Мощность 375 Вт; тепловое сопротивление переход—корпус 0,4 °C/Вт, переход—среда 40 °C/Вт
- Энергия лавины 84 мДж; температура перехода до 175 °C
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-263 |
| Бренд | Vishay |
