Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
SKW25N120 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: SKW25N120
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
SKW25N120 — быстрый IGBT производства Infineon, выполненный по технологии NPT, с мягким быстрым антипараллельным диодом EmCon в корпусе TO-247. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, постоянный ток коллектора 46 А при 25 °C и 25 А при 100 °C.
- Импульсный ток коллектора: 84 А
- Рассеиваемая мощность: 313 Вт при 25 °C
- Время выдерживания короткого замыкания: 10 мкс
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0,4 °C/Вт для IGBT и 1,15 °C/Вт для диода
- Рабочая температура перехода: от −55 до +150 °C
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-247 |
| Бренд | Infineon |