Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY
562.15 тңг / шт.
Под заказ
Артикул: MSKZ-8418
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
SIRC18DP-T1-GE3 — N-канальный MOSFET Vishay серии TrenchFET Gen IV на 30 В в корпусе PowerPAK SO-8, выполненный по технологии SkyFET с монолитным диодом Шоттки. Номинальный ток стока 60 А.
- Сопротивление открытого канала: не более 1,10 мОм при 10 В и 1,54 мОм при 4,5 В
- Типовой заряд затвора: 35 нКл
- Прямое напряжение диода Шоттки: 0,55 В при 10 А
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Корпус | SMD |
| Бренд | VISHAY |