Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
Si2399DS-T1-GE3 Vishay
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: Si2399DS-T1-GE3
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
Si2399DS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET производства Vishay на напряжение сток-исток −20 В в компактном корпусе SOT-23 (TO-236). Допустимое напряжение затвор-исток 12 В, рабочее управляющее напряжение затвора лежит в пределах 2,5–10 В.
Рассеиваемая мощность 1,25 Вт, заряд затвора 20 нКл, входная ёмкость 835 пФ. Подходит для ключей верхнего плеча и коммутации нагрузки в цепях низкого напряжения, где мало места.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | SOT-23 |
| Бренд | Vishay |