PDTB113ZT,215 NXP

PDTB113ZT,215 — PNP-транзистор со встроенными резисторами (RET) NXP в корпусе SOT23 (TO-236AB). Предельный выходной ток 500 мА, напряжение коллектор–эмиттер 50 В. Номиналы резисторов: R1 = 1 кОм (0,7–1,3 кОм), R2 = 10 кОм, отношение R2/R1 9–11.

• Коэффициент усиления hFE не менее 70 при VCE = −5 В и IC = −50 мА
• Напряжение насыщения коллектор–эмиттер не более −300 мВ при IC = −50 мА и IB = −2,5 мА
• Рассеиваемая мощность 250 мВт при Tamb ≤ 25 °C, температура перехода до 150 °C
• Квалификация AEC-Q101

NPN-комплемент — PDTD113ZT.

Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.