Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
NSVMMBTH81LT1G onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: NSVMMBTH81LT1G
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
NSVMMBTH81LT1G — ВЧ биполярный транзистор PNP onsemi в корпусе SOT-23. Предельное напряжение коллектор–эмиттер 20 В, ток коллектора до 50 мА, рассеиваемая мощность 225 мВт. Граничная частота усиления по току не менее 600 МГц (при IC = 5 мА, VCE = 10 В), коэффициент усиления hFE не менее 60.
- префикс NSV означает исполнение с квалификацией AEC-Q101
- напряжение насыщения коллектор–эмиттер не более 0,5 В при IC = 5 мА; ёмкость коллектор–база не более 0,85 пФ
- диапазон температур перехода от −55 до +150 °C
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | Биполярный транзистор PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Бренд | onsemi |