Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
NE3515S02-T1C-A Renesas
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: NE3515S02-T1C-A
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
NE3515S02-T1C-A — малошумящий N-канальный гетеропереходный полевой транзистор (HJ-FET) NE3515S02 для диапазона X–Ku в пластиковом корпусе Micro-X (S02). Коэффициент шума 0,3 дБ (тип.), усиление 12,5 дБ (тип.) на 12 ГГц при VDS = 2 В и ID = 10 мА.
- Выходная мощность при сжатии усиления на 1 дБ — +14 дБм (тип.) на частоте 12 ГГц при VDS = 3 В и токе стока 25 мА.
- Предельные режимы: напряжение сток-исток 4 В, затвор-исток −3 В, ток затвора 100 мкА, мощность рассеяния 165 мВт, температура канала +125 °C.
- Ток насыщения IDSS 32…88 мА (тип. 60 мА), крутизна не менее 45 мСм при токе стока 10 мА; рекомендуемое напряжение VDS 1…3 В, ток стока 5…25 мА.
- Код заказа NE3515S02-T1C-A соответствует исполнению NE3515S02-T1C в бессвинцовом корпусе S02, маркировка G.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | Полевой транзистор (N-канал) |
| Корпус | SMD |
| Бренд | Renesas |