Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
NE3210S01 Renesas
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: NE3210S01
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
NE3210S01 — малошумящий гетеропереходный полевой транзистор (N-канальный HJ-FET) с арсенидом галлия для диапазона X–Ku, производство NEC/Renesas. Коэффициент шума 0,35 дБ (тип.) и усиление 13,5 дБ (тип.) на частоте 12 ГГц; длина затвора не более 0,20 мкм, ширина затвора 160 мкм.
- Предельные режимы: напряжение сток-исток 4,0 В, напряжение затвор-исток −3,0 В, ток затвора 100 мкА, мощность рассеяния 165 мВт, температура канала 125 °C.
- Рекомендуемый режим: VDS 1…3 В (тип. 2 В), ток стока 5…15 мА (тип. 10 мА).
- Ток насыщения стока IDSS 15…70 мА (тип. 40 мА) при VDS = 2 В, напряжение отсечки затвора −0,2…−2,0 В.
- Миниатюрный четырёхвыводной корпус 2,0 × 2,0 мм (±0,2 мм), высота до 1,5 мм.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | Полевой транзистор (N-канал) |
| Корпус | SMD |
| Бренд | Renesas |