IXDN75N120 IXYS

Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса

IXDN75N120 IXYS

Цена по запросу

Под заказ

Артикул: IXDN75N120   

Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.

IXDN75N120 — одиночный IGBT-транзистор IXYS технологии NPT на напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, корпус SOT-227B с винтовым креплением на шасси. Ток коллектора при 25 °C 150 А, рассеиваемая мощность 660 Вт.

Напряжение насыщения до 2,7 В при токе 75 А и напряжении затвора 15 В, входная ёмкость 5,5 нФ, температура −40…+150 °C.

Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.

ТипIGBT-транзистор
КорпусSOT-227B
БрендIXYS

ПОСТАВКА ПО СПЕЦИФИКАЦИИ

Пришлите BOM — ответим коммерческим предложением

ПОИСК ДЕФИЦИТА И АНАЛОГОВ

Снятые с производства позиции, замены по параметрам

ДОГОВОР И БЕЗНАЛ

Работаем с ТОО и ИП, доставка по всему Казахстану

Поставляем компоненты производителей: Analog Devices, STMicroelectronics, TDK Corporation, ON Semiconductor, Bourns Inc, Texas Instruments, Microchip Technology, Amphenol, NXP, TE Connectivity, Murata, KYOCERA AVX, DIODES, Vishay Intertechnology, Littelfuse, Yageo, Coilcraft, Vishay, AVAGO, Abracon Corporation, Panasonic, LINEAR, ALTERA, Samtec Inc и ещё более тысячи брендов. Запросить КП

Закрыть