Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPT020N10N3 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPT020N10N3
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPT020N10N3 — N-канальный MOSFET OptiMOS 3 на 100 В от Infineon в корпусе PG-HSOF-8-1 с большим током: максимальное сопротивление канала 2 мОм, ток стока 300 А, импульсный 1200 А.
Рассеиваемая мощность 375 Вт, порог затвора 2–3,5 В (типично 2,7 В при 272 мкА), рабочая температура −55…+175 °C. Маркировка 020N10N3, без галогенов по IEC 61249-2-21.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | HSOF-8 |
| Бренд | Infineon |