Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPP50R190CEXKSA1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPP50R190CEXKSA1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPP50R190CEXKSA1 — высоковольтный MOSFET CoolMOS CE класса 500 В от Infineon (в даташите IPP50R190CE) в корпусе PG-TO220. Максимальное сопротивление канала 0,19 Ом, ток стока 24,8 А при 25 °C и 15,7 А при 100 °C.
Заряд затвора типично 47,2 нКл, Eoss 4,42 мкДж при 400 В, импульсный ток 63 А. Порог затвора 2,5–3,5 В при 0,51 мА, напряжение затвора ±20 В, устойчивость к dv/dt 50 В/нс. Квалифицирован для промышленного применения по JEDEC.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-220 |
| Бренд | Infineon |