Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPN70R600P7S Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPN70R600P7S
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPN70R600P7S — высоковольтный MOSFET CoolMOS P7 класса 700 В от Infineon в корпусе PG-SOT223 со встроенным диодом защиты затвора от ЭСР. Максимальное сопротивление канала 0,6 Ом, ток стока 8,5 А (5 А при 100 °C).
Заряд затвора типично 10,5 нКл, Eoss 1,2 мкДж при 400 В, пороговое напряжение типично 3 В, импульсный ток 20,5 А. Напряжение затвора ±16 В, температура −40…+150 °C, маркировка 70S600. Серия P7 рекомендована для обратноходовых топологий.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | SOT-223 |
| Бренд | Infineon |