
Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPN50R3K0CEATMA1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPN50R3K0CEATMA1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPN50R3K0CEATMA1 — N-канальный MOSFET серии CoolMOS CE производства Infineon на 500 В, ток стока 1,7 А, в корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Серия построена по принципу суперперехода: очень малые потери (по произведению RDS(on) на заряд затвора и энергии выходной ёмкости) и высокая устойчивость к коммутационным выбросам.
- Заряд затвора: 4,3 нКл
- Мощность рассеяния: 5 Вт
- Выводы без свинца, безгалогенный компаунд
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | SOT-223 |
| Бренд | Infineon |
