Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPD50R1K4CEBTMA1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPD50R1K4CEBTMA1 — высоковольтный N-канальный MOSFET серии CoolMOS CE (технология суперперехода) производства Infineon на 500 В с сопротивлением открытого канала 1,4 Ом. Корпус TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа.
- Заряд затвора: 8,2 нКл
- Мощность рассеяния: 25 Вт
- Максимальное напряжение затвора: 20 В
Построен по принципу суперперехода: потери по произведению RDS(on) на заряд затвора и энергии выходной ёмкости очень малы, коммутационная стойкость высокая.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-252 |
| Бренд | Infineon |