IPD30N06S2L-13 Infineon

Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса

IPD30N06S2L-13 Infineon

Цена по запросу

Под заказ

Артикул: IPD30N06S2L-13   

Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.

IPD30N06S2L-13 — N-канальный MOSFET OptiMOS логического уровня для автомобильных применений (AEC Q101) от Infineon: 55 В, 30 А, корпус PG-TO252-3-11. Сопротивление канала до 13 мОм при VGS = 10 В и 30 А, до 17 мОм при 4,5 В.

Рассеиваемая мощность 136 Вт, импульсный ток 200 А, энергия одиночного лавинного импульса 240 мДж. Порог затвора 1,2–2,0 В, рабочая температура −55…+175 °C, классификация MSL1 при пайке до 260 °C.

Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.

ТипMOSFET-транзистор
КорпусTO-252-3
БрендInfineon

ПОСТАВКА ПО СПЕЦИФИКАЦИИ

Пришлите BOM — ответим коммерческим предложением

ПОИСК ДЕФИЦИТА И АНАЛОГОВ

Снятые с производства позиции, замены по параметрам

ДОГОВОР И БЕЗНАЛ

Работаем с ТОО и ИП, доставка по всему Казахстану

Поставляем компоненты производителей: Analog Devices, STMicroelectronics, TDK Corporation, ON Semiconductor, Bourns Inc, Texas Instruments, Microchip Technology, Amphenol, NXP, TE Connectivity, Murata, KYOCERA AVX, DIODES, Vishay Intertechnology, Littelfuse, Yageo, Coilcraft, Vishay, AVAGO, Abracon Corporation, Panasonic, LINEAR, ALTERA, Samtec Inc и ещё более тысячи брендов. Запросить КП

Закрыть