Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPD135N08N3GATMA1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPD135N08N3GATMA1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPD135N08N3GATMA1 — N-канальный силовой MOSFET Infineon семейства OptiMOS 3 в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение сток-исток — 80 В, ток стока при 25 °C — 45 А.
Сопротивление открытого канала — 13,5 мОм, заряд затвора — 19 нКл. Небольшой заряд затвора при низком сопротивлении канала даёт малые потери при проводимости и переключении. Затвор управляется напряжением 10 В; компактный корпус удобен для плотной компоновки силовых узлов.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-252 |
| Бренд | Infineon |