Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IPB200N25N3 G Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IPB200N25N3 G
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IPB200N25N3 G — N-канальный MOSFET серии OptiMOS 3 производства Infineon на 250 В с током стока 64 А и сопротивлением открытого канала до 20 мОм. Корпус TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа, рассеиваемая мощность 300 Вт, рабочая температура до +175 °C.
- Заряд затвора: 86 нКл
- Максимальное напряжение затвора: 20 В
- Низкое произведение заряда затвора на RDS(on)
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-263 |
| Бренд | Infineon |