Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IMW120R030M1HXKSA1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IMW120R030M1HXKSA1 от Infineon — N-канальный силовой SiC MOSFET из линейки CoolSiC на 1200 В в корпусе TO-247. Сопротивление открытого канала 30 мОм, номинальный ток стока при 25 °C 56 А.
Управляется напряжением затвора 15–18 В, предельное напряжение затвора 23 В, полный заряд затвора 63 нКл. Карбид кремния даёт низкие потери при переключении, что важно для преобразователей и инверторов высокого напряжения.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | SiC MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-247 |
| Бренд | Infineon |