Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
IMBF170R650M1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: IMBF170R650M1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IMBF170R650M1 — SiC MOSFET CoolSiC 1700 В с траншейной структурой (Infineon) с сопротивлением канала 650 мОм при VGS = 12 В и 25 °C. Постоянный ток стока 7,4 А при 25 °C.
Затвор рассчитан на управление 12 В / 0 В прямо от обратноходового контроллера, порог VGS(th) 4,5 В; скорость нарастания dv/dt управляется для оптимизации ЭМИ. Корпус PG-TO263-7 с выводом Kelvin sense, маркировка 170M1650. Рекомендовано использование только в прямом режиме.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-263-7 |
| Бренд | Infineon |