Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
HGTG5N120BND onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: HGTG5N120BND
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
HGTG5N120BND — N-канальный IGBT-транзистор onsemi технологии NPT со встроенным сверхбыстрым диодом, корпус TO-247 для монтажа в отверстия. Напряжение коллектор–эмиттер 1200 В, постоянный ток коллектора 21 А, напряжение насыщения до 2,7 В. Мощность рассеяния 167 Вт, рабочая температура от −55 до +150 °C.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-247 |
| Бренд | onsemi |