Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
HGT1S10N120BNST onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: HGT1S10N120BNST
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IGBT-транзистор HGT1S10N120BNST производства onsemi: N-канальный, технология NPT, корпус TO-263AB для поверхностного монтажа. Напряжение коллектор–эмиттер 1200 В, ток коллектора 35 А при 25 °C, напряжение насыщения 2,7 В, мощность рассеяния 298 Вт. Заряд затвора 100 нКл, время включения 23 нс, время выключения 165 нс.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-263 |
| Бренд | onsemi |