Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
GT60M303 Toshiba
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: GT60M303
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
Toshiba GT60M303 — кремниевый N-канальный IGBT четвёртого поколения со встроенным обратным диодом между эмиттером и коллектором, корпус TO-3P(LH). Напряжение коллектор–эмиттер 900 В, постоянный ток коллектора 60 А (импульсный 120 А при 1 мс), рассеиваемая мощность 170 Вт при температуре корпуса 25 °C.
- Напряжение насыщения — 2,1 В (тип.)
- Время спада tf — 0,25 мкс (тип.), время обратного восстановления диода trr — 0,7 мкс (тип.)
- Напряжение затвор–эмиттер ±25 В
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Бренд | Toshiba |