Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
FGY75T120SQDN onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: FGY75T120SQDN
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
FGY75T120SQDN — IGBT onsemi в корпусе TO-247-3LD (CASE 340CD) на конструкции Ultra Field Stop Trench, на 1200 В и 75 А при 100 °C (150 А при 25 °C). В корпус встроен быстрый диод с мягким восстановлением и низким прямым падением.
- Напряжение насыщения VCE(sat) 1,7 В (тип.) при 75 А
- Мощность рассеяния 790 Вт при 25 °C, температура перехода до 175 °C
- Импульсный ток коллектора 300 А, все приборы проверены на ILM
- Напряжение затвор–эмиттер ±20 В
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-247-3 |
| Бренд | onsemi |