Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
FGA50N100BNTD2 onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: FGA50N100BNTD2
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
IGBT FGA50N100BNTD2 от onsemi в корпусе TO-3P, N-канальный, технология NPT and Trench. Напряжение коллектор-эмиттер 1000 В, ток коллектора 50 А при 25 °C, напряжение насыщения 2,9 В. Максимальная мощность 156 Вт, заряд затвора 257 нКл, время восстановления диода 75 нс, включение за 34 нс.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Бренд | onsemi |