Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
FDMS8D8N15C onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: FDMS8D8N15C
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
FDMS8D8N15C — N-канальный MOSFET onsemi с экранированным затвором (Shielded Gate) по технологии POWERTRENCH на 150 В в корпусе PQFN8 Power 56 (CASE 483AF). Ток стока 85 А при 25 °C корпуса и 54 А при 100 °C.
- Сопротивление канала не более 8,8 мОм при VGS = 10 В (ток 45 А) и 9,4 мОм при 8 В
- Диод с малым Qrr и мягким восстановлением, 100-процентный контроль UIL
- Мощность рассеяния 132 Вт, энергия лавинного импульса 102 мДж
- Импульсный ток стока 340 А, температура перехода от −55 до +150 °C
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | PQFN-8 |
| Бренд | onsemi |