Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
FDB1D7N10CL7 onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: FDB1D7N10CL7
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
FDB1D7N10CL7 — N-канальный MOSFET onsemi на 100 В, выполненный по технологии POWERTRENCH с экранированным затвором (Shielded Gate). Корпус TO-263 (D2PAK) для поверхностного монтажа, ток стока 268 А.
- Rds(on) макс. 1,75 мОм при Vgs = 10 В и Id = 100 А; 4,4 мОм при Vgs = 6 В и Id = 63 А.
- Заряд обратного восстановления диода на 50 % ниже, чем у других поставщиков MOSFET, по данным onsemi.
- Защита от электростатики: HBM более 4 кВ, CDM более 2 кВ.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TO-263 |
| Бренд | onsemi |