Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
BSZ160N10NS3G Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: BSZ160N10NS3G
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
BSZ160N10NS3G — N-канальный MOSFET Infineon серии OptiMOS 3 на 100 В с обычным уровнем управления в корпусе PG-TSDSON-8. Рассчитан на высокочастотное переключение и преобразователи постоянного тока.
- сопротивление канала 14 мОм типовое (до 16 мОм) при 10 В и 20 А;
- ток стока 40 А при температуре корпуса 25 °C, 28 А при 100 °C, импульсный 160 А;
- порог включения 2–3,5 В;
- заряд затвора 19 нКл типовой, входная ёмкость 1300 пФ типовая;
- мощность рассеяния 63 Вт, энергия лавины 80 мДж.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | TSDSON-8 |
| Бренд | Infineon |