Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
BSS83P H6327 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: BSS83P H6327
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
BSS83P H6327 — P-канальный MOSFET Infineon серии SIPMOS на −60 В в корпусе SOT-23. Режим обогащения, логический уровень, лавинная стойкость, стойкость к dv/dt, квалификация AEC-Q101.
- сопротивление канала 1,4 Ом типовое (до 2 Ом) при −10 В и 2 Ом типовое (до 3 Ом) при −4,5 В;
- ток стока −0,33 А при 25 °C и −0,27 А при 70 °C, импульсный −1,32 А;
- пороговое напряжение от −1 до −2 В;
- мощность рассеяния 0,36 Вт, энергия лавины 9,5 мДж;
- температура −55…+150 °C.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | SOT-23 |
| Бренд | Infineon |