Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
BSP52T1G onsemi
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: BSP52T1G
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
BSP52T1G — NPN-транзистор Дарлингтона onsemi в корпусе SOT-223 (CASE 318E). Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер 80 В и коллектор-база 90 В при токе коллектора до 1,0 А. Рассеиваемая мощность — 0,8 Вт на минимальной контактной площадке и 1,25 Вт на площадке 1 см².
- Коэффициент усиления hFE не менее 1000 при 150 мА и не менее 2000 при 500 мА (напряжение коллектор-эмиттер 10 В)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более 1,3 В при токе 500 мА
- Комплементарная PNP-пара — BSP62T1
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | Биполярный транзистор Дарлингтона |
| Корпус | SOT-223 |
| Бренд | onsemi |