Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
Трёхфазный мостовой IGBT-модуль BSM50GD120DN2BOSA1 производства Infineon: в корпусе EconoPACK собраны шесть IGBT-ключей, внутренняя схема обозначена как GD. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, ток коллектора 72 А при 25 °C, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2,5 В, рассеиваемая мощность 350 Вт, ток утечки 200 нА.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-модуль |
| Бренд | Infineon |