Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
APT80GA90S Microchip
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: APT80GA90S
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
APT80GA90S — IGBT Microchip на 900 В и 145 А с проколом базы (Punch-Through), технология POWER MOS 8. Это быстрый ключ для импульсных схем с низкими потерями на переключение. Корпус для поверхностного монтажа D3PAK, рассеиваемая мощность — до 625 Вт.
Напряжение насыщения Vce(on) — не более 3,1 В при 15 В на затворе и токе 47 А, заряд затвора — 200 нC, импульсный ток коллектора — 239 А. Рабочая температура перехода — от −55 до +150 °C.
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | D3PAK |
| Бренд | Microchip |