Изображение для примера — внешний вид зависит от корпуса
AONS66917 AOS
Цена по запросу
Под заказ
Артикул: AONS66917
Цена указана за 1 шт. Срок поставки под заказ — от 4 до 8 недель. Цена на партию, точный срок и аналоги — в коммерческом предложении. Работаем с ТОО и ИП по договору.
AOS AONS66917 — N-канальный MOSFET на 100 В по технологии AlphaSGT в корпусе DFN 5×6 мм. Постоянный ток стока 100 А, сопротивление открытого канала менее 3,5 мОм при VGS = 10 В и менее 5,0 мОм при 4,5 В; оптимизирован для быстрого переключения.
- Импульсный ток стока 320 А, напряжение затвор–исток ±20 В
- Рассеиваемая мощность 215 Вт при 25 °C корпуса
- Энергия лавинного пробоя 211 мДж, ток лавины 65 А
- Проверка 100 % транзисторов на UIS и сопротивление затвора
- Температура перехода и хранения −55…+150 °C
Поставка под заказ по Казахстану, срок — от 4 до 8 недель. Цену на партию, сроки и аналоги пришлём в коммерческом предложении. БИН 241040022785. Тел. +7 (771) 778-92-00 — пишите запрос в WhatsApp.
| Тип | MOSFET-транзистор |
| Корпус | DFN-8 |
| Бренд | AOS |